Samsung Electro-Mechanics America, Inc. CIG22L3R3MNE
.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- CIG22L3R3MNE
- 제조업 자
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- 제품 카테고리
- 고정 인덕터
- 간단한 설명
- 3.3µH Shielded Multilayer Inductor 1.2A 100 mOhm 1008 (2520 Metric)
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
CIG22L3R3MNE 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 48.37061
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of CIG22L3R3MNE, we specialize in all series Samsung Electro-Mechanics America, Inc. electronic components. CIG22L3R3MNE can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CIG22L3R3MNE, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- CIG22L3R3MNE 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
CIG22L3R3MNE 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-CIG22L3R3MNE | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | CIG22L Series Chip Inductor Catalog | |
| 주요제품 | CIH and CIG Series Chip Inductors | |
| 종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
| 제품군 | 고정 인덕터 | |
| 제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
| 계열 | CIG22L | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 유형 | 다층 | |
| 소재 - 코어 | - | |
| 유도 용량 | 3.3µH | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전류 | 1.2A | |
| 전류 - 포화 | - | |
| 차폐 | 차폐 | |
| DC 저항(DCR) | 100m옴 | |
| Q @ 주파수 | - | |
| 주파수 - 자기 공진 | - | |
| 등급 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C | |
| 주파수 - 테스트 | 1MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 1008(2520 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.098" L x 0.079" W(2.50mm x 2.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | * | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 1276-6212-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | CIG22L3R3MNE | |
| 관련 링크 | CIG22L, CIG22L3R3MNE Datasheet, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. Distributor | |
CIG22L3R3MNE 의 관련 제품
 | VJ0805D2R2DLPAJ | 2.2pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D2R2DLPAJ.pdf | |
 | TPSMP8.2AHM3/84A | TVS DIODE 7.02VWM DO220AA | TPSMP8.2AHM3/84A.pdf | |
 | 416F360X2IDR | 36MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F360X2IDR.pdf | |
 | ASTMHTE-80.000MHZ-XC-E-T | 80MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTE-80.000MHZ-XC-E-T.pdf | |
 | 510JAB-CAAG | 170MHz ~ 250MHz LVDS XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 23mA Enable/Disable | 510JAB-CAAG.pdf | |
.jpg) | GLFR1608T3R3M-LR | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 525mA 230 mOhm 0603 (1608 Metric) | GLFR1608T3R3M-LR.pdf | |
| P160R-393HS | 39µH Unshielded Inductor 261mA 1.8 Ohm Max Nonstandard | P160R-393HS.pdf | |
.jpg) | RE1206DRE071K27L | RES SMD 1.27K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RE1206DRE071K27L.pdf | |
.jpg) | CR1206-FX-2551ELF | RES SMD 2.55K OHM 1% 1/4W 1206 | CR1206-FX-2551ELF.pdf | |
 | CRCW2512300KJNTG | RES SMD 300K OHM 5% 1W 2512 | CRCW2512300KJNTG.pdf | |
.jpg) | RT0603WRB0715K4L | RES SMD 15.4K OHM 1/10W 0603 | RT0603WRB0715K4L.pdf | |
 | CMF60182R00FHBF | RES 182 OHM 1W 1% AXIAL | CMF60182R00FHBF.pdf |
