창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CL10B823KA8NNNC | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | CL10B823KA8NNNC Spec MLCC Catalog CL Series, MLCC Datasheet | |
제품 교육 모듈 | Auto Grade MLCC High Cap MLCC Family Soft Termination MLCC | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
계열 | CL | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 0.082µF | |
허용 오차 | ±10% | |
전압 - 정격 | 25V | |
온도 계수 | X7R | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
크기/치수 | 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.035"(0.90mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | - | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | 1276-2121-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | CL10B823KA8NNNC | |
관련 링크 | CL10B82, CL10B823KA8NNNC Datasheet, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. Distributor |
![]() | C2012CH2W331J060AA | 330pF 450V 세라믹 커패시터 CH 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012CH2W331J060AA.pdf | |
![]() | C0805C332J5GACAUTO | 3300pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C332J5GACAUTO.pdf | |
![]() | VJ1812A681JBGAT4X | 680pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A681JBGAT4X.pdf | |
![]() | CL31C102JBCNNND | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CL31C102JBCNNND.pdf | |
![]() | P6SMB150C | TVS DIODE 128VWM 217.35VC SMD | P6SMB150C.pdf | |
![]() | 445C32F12M00000 | 12MHz ±30ppm 수정 24pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C32F12M00000.pdf | |
![]() | 416F3741XAKR | 37.4MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F3741XAKR.pdf | |
![]() | SIT8008BI-72-25E-19.200000D | OSC XO 2.5V 19.2MHZ OE | SIT8008BI-72-25E-19.200000D.pdf | |
![]() | 3N258-E4/51 | DIODE BRIDGE 2A 800V 4SIP | 3N258-E4/51.pdf | |
![]() | TNPW060355K6BEEA | RES SMD 55.6KOHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW060355K6BEEA.pdf | |
![]() | RCP1206B910RGED | RES SMD 910 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206B910RGED.pdf | |
![]() | 20J20RE | RES 20 OHM 10W 5% AXIAL | 20J20RE.pdf |