Samsung Electro-Mechanics America, Inc. CL10C330GB8NNNC

CL10C330GB8NNNC
제조업체 부품 번호
CL10C330GB8NNNC
제조업 자
제품 카테고리
세라믹 커패시터
간단한 설명
33pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm)
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CL10C330GB8NNNC 매개 변수
내부 부품 번호EIS-CL10C330GB8NNNC
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서CL10C330GB8NNNC Spec
CL10C330GB8NNNC Characteristics
MLCC Catalog
CL Series, MLCC Datasheet
제품 교육 모듈Auto Grade MLCC
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보MLCC RoHS 2 Compliance
주요제품Multi-Layer Ceramic Capacitors
종류커패시터
제품군세라믹 커패시터
제조업체Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
계열CL
포장테이프 및 릴(TR)
정전 용량33pF
허용 오차±2%
전압 - 정격50V
온도 계수C0G, NP0
실장 유형표면실장, MLCC
작동 온도-55°C ~ 125°C
응용 제품범용
등급-
패키지/케이스0603(1608 미터법)
크기/치수0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm)
높이 - 장착(최대)-
두께(최대)0.035"(0.90mm)
리드 간격-
특징-
리드 유형-
표준 포장 4,000
다른 이름1276-2263-2
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)CL10C330GB8NNNC
관련 링크CL10C33, CL10C330GB8NNNC Datasheet, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. Distributor
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TVS DIODE 20VWM 28VC 6TSOP BZA420A,165.pdf
OSC XO 3.3V 27MHZ ST SIT3808AI-D3-33SE-27.000000Y.pdf
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB ES3B-E3/57T.pdf
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK IRFS3307ZPBF.pdf
470µH Unshielded Wirewound Inductor 580mA 1.5 Ohm Max Radial 744743471.pdf
2.7µH Unshielded Molded Inductor 430mA 1.2 Ohm Max Axial 1537-22G.pdf
RES SMD 287 OHM 0.25% 1/16W 0402 ERA-2ARC2870X.pdf
RES SMD 215K OHM 1% 1/4W 1206 RT1206FRD07215KL.pdf
RES ARRAY 8 RES 5.76K OHM 1606 YC248-FR-075K76L.pdf
AMPLIFIER FOR MV/V INPUT 10V OUT 060-6881-02.pdf