Samsung Electro-Mechanics America, Inc. CL10C470JB8NNWC

CL10C470JB8NNWC
제조업체 부품 번호
CL10C470JB8NNWC
제조업 자
제품 카테고리
세라믹 커패시터
간단한 설명
47pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm)
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CL10C470JB8NNWC 매개 변수
내부 부품 번호EIS-CL10C470JB8NNWC
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서CL10C470JB8NNWC Spec
CL10C470JB8NNWC Characteristics
MLCC Catalog
CL Series, MLCC Datasheet
제품 교육 모듈Auto Grade MLCC
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보MLCC RoHS 2 Compliance
주요제품Multi-Layer Ceramic Capacitors
종류커패시터
제품군세라믹 커패시터
제조업체Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
계열CL
포장테이프 및 릴(TR)
정전 용량47pF
허용 오차±5%
전압 - 정격50V
온도 계수C0G, NP0
실장 유형표면실장, MLCC
작동 온도-55°C ~ 125°C
응용 제품범용
등급-
패키지/케이스0603(1608 미터법)
크기/치수0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm)
높이 - 장착(최대)-
두께(최대)0.035"(0.90mm)
리드 간격-
특징-
리드 유형-
표준 포장 4,000
다른 이름1276-2298-2
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)CL10C470JB8NNWC
관련 링크CL10C47, CL10C470JB8NNWC Datasheet, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. Distributor
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OSC XO 3.3V 8MHZ OE SIT8008BI-21-33E-8.000000E.pdf
1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 3.9mA Standby SIT8008AIT3-18S.pdf
DIODE GPP 1A 1000V 4DIP DF10MA-E3/45.pdf
Red LED Indication - Discrete 2V 2-SMD, No Lead SML-LXR851SIC-TR.pdf
RES SMD 2.26K OHM 1% 1/8W 0805 RT0805FRD072K26L.pdf
RES SMD 30.1 OHM 1% 1/16W 0603 CPF0603F30R1C1.pdf
RES SMD 390 OHM 1% 1W MELF MMP100FRF390R.pdf
RES ARRAY 8 RES 82K OHM 16SOIC 768163823GP.pdf
RES 1.16 OHM 13W 5% AXIAL CW0101R160JE123.pdf
IC RF TRANSMITTER 16SOIC MAX14726ESE+T.pdf