Samsung Electro-Mechanics America, Inc. CL10C820JB8NNND
-10.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- CL10C820JB8NNND
- 제조업 자
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- 제품 카테고리
- 세라믹 커패시터
- 간단한 설명
- 82pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm)
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
CL10C820JB8NNND 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2.54270
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of CL10C820JB8NNND, we specialize in all series Samsung Electro-Mechanics America, Inc. electronic components. CL10C820JB8NNND can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CL10C820JB8NNND, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- CL10C820JB8NNND 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
CL10C820JB8NNND 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-CL10C820JB8NNND | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | CL10C820JB8NNND Characteristics CL10C820JB8NNNDSpec Sheet MLCC Catalog CL Series, MLCC Datasheet | |
| 제품 교육 모듈 | Auto Grade MLCC | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
| 주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
| 계열 | CL | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 82pF | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전압 - 정격 | 50V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.035"(0.90mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | CL10C820JB8NNND | |
| 관련 링크 | CL10C82, CL10C820JB8NNND Datasheet, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. Distributor | |
CL10C820JB8NNND 의 관련 제품
 | VJ0603D6R8DLCAJ | 6.8pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D6R8DLCAJ.pdf | |
 | ECS-110.5-32-5PX-TR | 11.0592MHz ±30ppm 수정 32pF 50옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ECS-110.5-32-5PX-TR.pdf | |
 | ATS080SM-1E | 8MHz ±30ppm 수정 시리즈 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ATS080SM-1E.pdf | |
 | R7014203XXUA | DIODE GEN PURP 4.2KV 300A DO200 | R7014203XXUA.pdf | |
| 4232-331H | 330nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 760 mOhm Max 2-SMD | 4232-331H.pdf | |
| RC-6-B | 560µH Unshielded Wirewound Inductor 800mA 600 mOhm Radial | RC-6-B.pdf | |
 | CRCW121030R0JNEA | RES SMD 30 OHM 5% 1/2W 1210 | CRCW121030R0JNEA.pdf | |
 | ERA-2APB2262X | RES SMD 22.6KOHM 0.1% 1/16W 0402 | ERA-2APB2262X.pdf | |
 | RCL12184R42FKEK | RES SMD 4.42 OHM 1W 1812 WIDE | RCL12184R42FKEK.pdf | |
.jpg) | TNPW121062R0BETA | RES SMD 62 OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW121062R0BETA.pdf | |
 | 2-1879361-6 | RES SMD 10.5KOHM 0.1% 1/16W 0603 | 2-1879361-6.pdf | |
 | RSF2JB510R | RES MO 2W 510 OHM 5% AXIAL | RSF2JB510R.pdf |
