창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CL21B106KOQNNNG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | CL21B106KOQNNNG Spec CL21B106KOQNNNG Characteristics MLCC Catalog CL Series, MLCC Datasheet | |
제품 교육 모듈 | Auto Grade MLCC High Cap MLCC Family Soft Termination MLCC | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
계열 | CL | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 10µF | |
허용 오차 | ±10% | |
전압 - 정격 | 16V | |
온도 계수 | X7R | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.055"(1.40mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | - | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 1276-6472-2 CL21B106KOQNNNG-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | CL21B106KOQNNNG | |
관련 링크 | CL21B10, CL21B106KOQNNNG Datasheet, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. Distributor |
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![]() | VJ0805D430JLCAP | 43pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D430JLCAP.pdf | |
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![]() | SG5032VAN 200.000000M-KEGA3 | 200MHz LVDS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 2.5 V ~ 3.3 V 30mA Enable/Disable | SG5032VAN 200.000000M-KEGA3.pdf | |
![]() | IPP65R074C6XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 57.7A TO220 | IPP65R074C6XKSA1.pdf | |
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![]() | RNCF1206BKE261K | RES SMD 261K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RNCF1206BKE261K.pdf | |
![]() | RT0805BRB07487RL | RES SMD 487 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRB07487RL.pdf | |
![]() | H818K2BZA | RES 18.2K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H818K2BZA.pdf | |
![]() | HMC414MS8GE | RF Amplifier IC Bluetooth 2.2GHz ~ 2.8GHz 8-SMD | HMC414MS8GE.pdf |