Samsung Electro-Mechanics America, Inc. CL21B223KCFNNNE

CL21B223KCFNNNE
제조업체 부품 번호
CL21B223KCFNNNE
제조업 자
제품 카테고리
세라믹 커패시터
간단한 설명
0.022µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm)
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CL21B223KCFNNNE 매개 변수
내부 부품 번호EIS-CL21B223KCFNNNE
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서CL21B223KCFNNNE Characteristics
CL21B223KCFNNNE Characteristics
MLCC Catalog
CL Series, MLCC Datasheet
제품 교육 모듈Auto Grade MLCC
High Cap MLCC Family
Soft Termination MLCC
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보MLCC RoHS 2 Compliance
주요제품Multi-Layer Ceramic Capacitors
종류커패시터
제품군세라믹 커패시터
제조업체Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
계열CL
포장테이프 및 릴(TR)
정전 용량0.022µF
허용 오차±10%
전압 - 정격100V
온도 계수X7R
실장 유형표면실장, MLCC
작동 온도-55°C ~ 125°C
응용 제품범용
등급-
패키지/케이스0805(2012 미터법)
크기/치수0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm)
높이 - 장착(최대)-
두께(최대)0.053"(1.35mm)
리드 간격-
특징-
리드 유형-
표준 포장 2,000
다른 이름1276-2942-2
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)CL21B223KCFNNNE
관련 링크CL21B22, CL21B223KCFNNNE Datasheet, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. Distributor
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TVS DIODE 102VWM 165VC DO204AL BZW04-102-E3/73.pdf
36MHz ±15ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F360XXAKR.pdf
82µH Unshielded Inductor 295mA 3.9 Ohm Max Nonstandard 5022-823J.pdf
RES SMD 147 OHM 0.5% 1/16W 0402 RC0402DR-07147RL.pdf
RES SMD 30 OHM 5% 11W 1206 RCP1206W30R0JEB.pdf
RES ARRAY 13 RES 100K OHM 14SOIC 4814P-2-104LF.pdf
RES ARRAY 4 RES 500 OHM 8SOIC ORNA5000AT1.pdf
Converter Offline Flyback Topology 100kHz PG-DIP-8 ICE3A2065FKLA1.pdf