Samsung Electro-Mechanics America, Inc. CL21C010BBANNNC

CL21C010BBANNNC
제조업체 부품 번호
CL21C010BBANNNC
제조업 자
제품 카테고리
세라믹 커패시터
간단한 설명
1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm)
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내부 부품 번호EIS-CL21C010BBANNNC
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서CL21C010BBANNNC Spec
MLCC Catalog
CL Series, MLCC Datasheet
제품 교육 모듈Auto Grade MLCC
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보MLCC RoHS 2 Compliance
주요제품Multi-Layer Ceramic Capacitors
종류커패시터
제품군세라믹 커패시터
제조업체Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
계열CL
포장테이프 및 릴(TR)
정전 용량1pF
허용 오차±0.1pF
전압 - 정격50V
온도 계수C0G, NP0
실장 유형표면실장, MLCC
작동 온도-55°C ~ 125°C
응용 제품범용
등급-
패키지/케이스0805(2012 미터법)
크기/치수0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm)
높이 - 장착(최대)-
두께(최대)0.030"(0.75mm)
리드 간격-
특징-
리드 유형-
표준 포장 4,000
다른 이름1276-1766-2
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)CL21C010BBANNNC
관련 링크CL21C01, CL21C010BBANNNC Datasheet, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. Distributor
CL21C010BBANNNC 의 관련 제품
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TVS DIODE 36VWM 62VC SOD323 SD36-01FTG.pdf
24.576MHz ±50ppm 수정 20pF 50옴 0°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) ABM3B-24.576MHZ-20-E-T.pdf
27MHz ±30ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F27033CTR.pdf
25MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 6.3mA Standby (Power Down) DSC1001CI1-025.0000.pdf
DIODE SCHOTTKY 40V 4A SMC MBRS340T3.pdf
DIODE PIN SWITCH 100V SOT-323 HSMP-389C-BLKG.pdf
DIODE ZENER 6.2V 1W DO41 1N4735ATA.pdf
SCR FAST SW 150A 1000V TO-93 T607101534BT.pdf
General Purpose Relay SPST-NO (1 Form A) 24VDC Coil Through Hole ALFG2PF241.pdf
RES SMD 27 OHM 5% 11W 1206 RCP1206B27R0JEB.pdf
RES .56 OHM 10W 5% CERAMIC WW CB10JBR560.pdf