Samsung Electro-Mechanics America, Inc. CL21C222JBFNNNG

CL21C222JBFNNNG
제조업체 부품 번호
CL21C222JBFNNNG
제조업 자
제품 카테고리
세라믹 커패시터
간단한 설명
2200pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm)
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CL21C222JBFNNNG 매개 변수
내부 부품 번호EIS-CL21C222JBFNNNG
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서CL21C222JBFNNNG Characteristics
CL21C222JBFNNNGSpec Sheet
MLCC Catalog
CL Series, MLCC Datasheet
제품 교육 모듈Auto Grade MLCC
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보MLCC RoHS 2 Compliance
주요제품Multi-Layer Ceramic Capacitors
종류커패시터
제품군세라믹 커패시터
제조업체Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
계열CL
포장테이프 및 릴(TR)
정전 용량2200pF
허용 오차±5%
전압 - 정격50V
온도 계수C0G, NP0
실장 유형표면실장, MLCC
작동 온도-55°C ~ 125°C
응용 제품범용
등급-
패키지/케이스0805(2012 미터법)
크기/치수0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm)
높이 - 장착(최대)-
두께(최대)0.053"(1.35mm)
리드 간격-
특징-
리드 유형-
표준 포장 3,000
다른 이름1276-6492-2
CL21C222JBFNNNG-ND
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)CL21C222JBFNNNG
관련 링크CL21C22, CL21C222JBFNNNG Datasheet, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. Distributor
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TVS DIODE 9VWM 17.3VC DO215AB SMCG6041/TR13.pdf
OSC XO 1.8V 66.66MHZ OE SIT8008BC-12-18E-66.660000D.pdf
14.31818MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Through Hole 3.3V 17mA Standby (Power Down) MXO45LV-3C-14M31818.pdf
1.5µH Shielded Multilayer Inductor 50mA 500 mOhm Max 0805 (2012 Metric) AIML-0805-1R5K-T.pdf
100mH Unshielded Molded Inductor 15.8mA 670 Ohm Max Radial 2534-72H.pdf
RES SMD 237K OHM 1% 1/4W 1206 RT1206FRE07237KL.pdf
RES SMD 0.75 OHM 5% 1/2W 2010 CRL2010-JW-R750ELF.pdf
RES SMD 23.4K OHM 0.1% 5/8W 0805 PHP00805H2342BST1.pdf
RES SMD 27 OHM 5% 3.9W 0603 RCP0603B27R0JET.pdf
RES SMD 1.2M OHM 1% 1/10W 0603 CRCW06031M20FKTA.pdf