Samsung Electro-Mechanics America, Inc. CL21C4R7BBANNND

CL21C4R7BBANNND
제조업체 부품 번호
CL21C4R7BBANNND
제조업 자
제품 카테고리
세라믹 커패시터
간단한 설명
4.7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm)
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내부 부품 번호EIS-CL21C4R7BBANNND
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서CL21C4R7BBANNND Characteristics
CL21C4R7BBANNNDSpec Sheet
MLCC Catalog
CL Series, MLCC Datasheet
제품 교육 모듈Auto Grade MLCC
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보MLCC RoHS 2 Compliance
주요제품Multi-Layer Ceramic Capacitors
종류커패시터
제품군세라믹 커패시터
제조업체Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
계열CL
포장테이프 및 릴(TR)
정전 용량4.7pF
허용 오차±0.1pF
전압 - 정격50V
온도 계수C0G, NP0
실장 유형표면실장, MLCC
작동 온도-55°C ~ 125°C
응용 제품범용
등급-
패키지/케이스0805(2012 미터법)
크기/치수0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm)
높이 - 장착(최대)-
두께(최대)0.030"(0.75mm)
리드 간격-
특징-
리드 유형-
표준 포장 10,000
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)CL21C4R7BBANNND
관련 링크CL21C4R, CL21C4R7BBANNND Datasheet, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. Distributor
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26MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US ABLS2-26.000MHZ-B1U-T.pdf
27.12MHz ±10ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F2711XCAR.pdf
1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V 4.5mA Enable/Disable SIT8008ACB3-XXE.pdf
1MHz ~ 220MHz HCSL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 80mA Standby SIT9002AC-43H25SD.pdf
Center Frequency 810MHz Voltage Controlled Oscillator 0.3 ~ 4.7 V -5.0 ±2 dBm -15 dBc CVCO55CC-0805-0815.pdf
2.2µH Unshielded Wirewound Inductor 630mA 250 mOhm Max Axial B82141A1222K.pdf
6.3µH Shielded Inductor 3A 31 mOhm Nonstandard TYS60456R3M-10.pdf
RES 2.7 OHM 13W 5% AXIAL CW0102R700JE733.pdf
RES 111.67 OHM 0.6W 0.01% RADIAL Y0786111R670T9L.pdf
SENSOR RETROREFLECTIVE 2M E3T-SR34 2M.pdf
SAFETY LIGHT CURTAIN MS4800A-30-0640-10X-10R-P.pdf