Samsung Electro-Mechanics America, Inc. CL21CR82BBANNNC
-A.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- CL21CR82BBANNNC
- 제조업 자
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- 제품 카테고리
- 세라믹 커패시터
- 간단한 설명
- 0.82pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm)
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
CL21CR82BBANNNC 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 3.87336
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of CL21CR82BBANNNC, we specialize in all series Samsung Electro-Mechanics America, Inc. electronic components. CL21CR82BBANNNC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CL21CR82BBANNNC, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- CL21CR82BBANNNC 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
CL21CR82BBANNNC 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-CL21CR82BBANNNC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | CL21CR82BBANNNC Spec MLCC Catalog CL Series, MLCC Datasheet | |
| 제품 교육 모듈 | Auto Grade MLCC | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
| 주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
| 계열 | CL | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 0.82pF | |
| 허용 오차 | ±0.1pF | |
| 전압 - 정격 | 50V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.030"(0.75mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 1276-2703-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | CL21CR82BBANNNC | |
| 관련 링크 | CL21CR8, CL21CR82BBANNNC Datasheet, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. Distributor | |
CL21CR82BBANNNC 의 관련 제품
 | C0402C330F8GACTU | 33pF 10V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C0402C330F8GACTU.pdf | |
 | C901U102MVVDBAWL20 | 1000pF 400VAC 세라믹 커패시터 Y5V(F) 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U102MVVDBAWL20.pdf | |
 | MKP385491025JFM2B0 | 0.91µF Film Capacitor 160V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.394" W (17.50mm x 10.00mm) | MKP385491025JFM2B0.pdf | |
 | 893D226X9035E2TE3 | 22µF Molded Tantalum Capacitors 35V 2917 (7343 Metric) 600 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | 893D226X9035E2TE3.pdf | |
 | 416F27013ADR | 27MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27013ADR.pdf | |
| SIT8008BI-72-33S-24.545454E | OSC XO 3.3V 24.545454MHZ ST | SIT8008BI-72-33S-24.545454E.pdf | |
 | FXO-HC736-60.1 | 60.1MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 47mA Enable/Disable | FXO-HC736-60.1.pdf | |
 | PBSS4032SPN,115 | TRANS NPN/PNP 30V 5.7A/4.8A 8SO | PBSS4032SPN,115.pdf | |
 | RN2707JE(TE85L,F) | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV | RN2707JE(TE85L,F).pdf | |
 | RQ5A030APTL | MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3 | RQ5A030APTL.pdf | |
| WW1008R-33NK | 33nH Unshielded Wirewound Inductor 1A 140 mOhm Max Nonstandard | WW1008R-33NK.pdf | |
 | MLX90295EVC-FAA-300-BU | IC HALL SENSOR PREC PROG 4SIP | MLX90295EVC-FAA-300-BU.pdf |
