Samsung Electro-Mechanics America, Inc. CL31C221JIHNFNE
-H.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- CL31C221JIHNFNE
- 제조업 자
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- 제품 카테고리
- 세라믹 커패시터
- 간단한 설명
- 220pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm)
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
CL31C221JIHNFNE 가격 및 조달
가능 수량
15150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 70.67174
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of CL31C221JIHNFNE, we specialize in all series Samsung Electro-Mechanics America, Inc. electronic components. CL31C221JIHNFNE can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CL31C221JIHNFNE, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- CL31C221JIHNFNE 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
CL31C221JIHNFNE 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-CL31C221JIHNFNE | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | CL31C221JIHNFNE Spec CL31C221JIHNFNE Characteristics MLCC Catalog CL Series, MLCC Datasheet | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
| 주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
| 계열 | CL | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 220pF | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전압 - 정격 | 1000V(1kV) | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.071"(1.80mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | 1276-3234-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | CL31C221JIHNFNE | |
| 관련 링크 | CL31C22, CL31C221JIHNFNE Datasheet, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. Distributor | |
CL31C221JIHNFNE 의 관련 제품
 | VJ0805D360KXBAP | 36pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D360KXBAP.pdf | |
| HCE222MBCDF0KR | 2200pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.433" Dia(11.00mm) | HCE222MBCDF0KR.pdf | |
 | SMF13A-M3-18 | TVS DIODE 13VWM 21.5VC DO-219AB | SMF13A-M3-18.pdf | |
 | 9C-14.31818MEEJ-T | 14.31818MHz ±10ppm 수정 18pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 9C-14.31818MEEJ-T.pdf | |
| SIT9121AI-2C2-33E100.0000T | OSC XO 3.3V 100MHZ | SIT9121AI-2C2-33E100.0000T.pdf | |
 | 1812R-101H | 100nH Unshielded Inductor 818mA 300 mOhm Max 2-SMD | 1812R-101H.pdf | |
 | HS15 8R F | RES CHAS MNT 8 OHM 1% 15W | HS15 8R F.pdf | |
.jpg) | KTR03EZPF33R0 | RES SMD 33 OHM 1% 1/10W 0603 | KTR03EZPF33R0.pdf | |
.jpg) | RT2010DKE0780K6L | RES SMD 80.6K OHM 0.5% 1/2W 2010 | RT2010DKE0780K6L.pdf | |
 | ERJ-B1CFR01U | RES SMD 0.01 OHM 2W 2010 WIDE | ERJ-B1CFR01U.pdf | |
.jpg) | RCS06031K87FKEA | RES SMD 1.87K OHM 1% 1/4W 0603 | RCS06031K87FKEA.pdf | |
| CW0107K200KE12 | RES 7.2K OHM 13W 10% AXIAL | CW0107K200KE12.pdf |
