Samsung Electro-Mechanics America, Inc. CL32B105KCJSNNE
-27.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- CL32B105KCJSNNE
- 제조업 자
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- 제품 카테고리
- 세라믹 커패시터
- 간단한 설명
- 1µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm)
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
CL32B105KCJSNNE 가격 및 조달
가능 수량
3150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 105.36515
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of CL32B105KCJSNNE, we specialize in all series Samsung Electro-Mechanics America, Inc. electronic components. CL32B105KCJSNNE can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CL32B105KCJSNNE, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- CL32B105KCJSNNE 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
CL32B105KCJSNNE 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-CL32B105KCJSNNE | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | CL32B105KCJSNNE Spec CL32B105KCJSNNE Characteristics MLCC Catalog CL Series, MLCC Datasheet | |
| 제품 교육 모듈 | High Cap MLCC Family | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
| 주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
| 계열 | CL | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 1µF | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전압 - 정격 | 100V | |
| 온도 계수 | X7R | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 1210(3225 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.106"(2.70mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 1276-2883-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | CL32B105KCJSNNE | |
| 관련 링크 | CL32B10, CL32B105KCJSNNE Datasheet, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. Distributor | |
CL32B105KCJSNNE 의 관련 제품
 | SMBG30CA-M3/5B | TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO-215AA | SMBG30CA-M3/5B.pdf | |
 | 416F27012ALT | 27MHz ±10ppm 수정 12pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27012ALT.pdf | |
 | SG-210STF 4.0000ML0 | 4MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 1.6 V ~ 3.6 V 1.8mA Standby (Power Down) | SG-210STF 4.0000ML0.pdf | |
 | SIT1602BI-11-33E-50.000000E | OSC XO 3.3V 50MHZ | SIT1602BI-11-33E-50.000000E.pdf | |
 | BZM55C3V9-TR | DIODE ZENER 500MW MICROMELF | BZM55C3V9-TR.pdf | |
 | PZT2907AT3G | TRANS PNP 60V 0.6A SOT223 | PZT2907AT3G.pdf | |
 | STB6NK60Z-1 | MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK | STB6NK60Z-1.pdf | |
 | SPD125-124M | 120µH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 250 mOhm Max Nonstandard | SPD125-124M.pdf | |
 | MOC3062XSM | Optoisolator Triac Output 5300Vrms 1 Channel | MOC3062XSM.pdf | |
 | ERJ-1GEF4870C | RES SMD 487 OHM 1% 1/20W 0201 | ERJ-1GEF4870C.pdf | |
 | S5-0R15J8 | RES SMD 0.15 OHM 5% 4W 8230 | S5-0R15J8.pdf | |
| Y116956R0000T9L | RES SMD 56 OHM 0.01% 0.6W J LEAD | Y116956R0000T9L.pdf |
