Central Semiconductor Corp CMPDM7002AHC TR
- 제조업체 부품 번호
- CMPDM7002AHC TR
- 제조업 자
- Central Semiconductor Corp
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 60V 0.28A SOT-23
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
CMPDM7002AHC TR 가격 및 조달
가능 수량
4150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 206.67779
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of CMPDM7002AHC TR, we specialize in all series Central Semiconductor Corp electronic components. CMPDM7002AHC TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CMPDM7002AHC TR, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- CMPDM7002AHC TR 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
CMPDM7002AHC TR 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-CMPDM7002AHC TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | CMPDM7002AHC | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Central Semiconductor Corp | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 220m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.3nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 240pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 350mW | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | CMPDM7002AHC TR | |
| 관련 링크 | CMPDM70, CMPDM7002AHC TR Datasheet, Central Semiconductor Corp Distributor | |
CMPDM7002AHC TR 의 관련 제품
-6.jpg) | CL21C100JB61PNC | 10pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21C100JB61PNC.pdf | |
 | VJ0603D200JLBAP | 20pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D200JLBAP.pdf | |
 | VJ1210Y153KBAAT4X | 0.015µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) | VJ1210Y153KBAAT4X.pdf | |
 | APT2X61DQ60J | DIODE MODULE 600V 60A ISOTOP | APT2X61DQ60J.pdf | |
 | RB521CS30L,315 | DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOD882 | RB521CS30L,315.pdf | |
 | 1N5230B (DO-35) | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 | 1N5230B (DO-35).pdf | |
 | IDCS2512ER330M | 33µH Shielded Inductor 600mA 190 mOhm Max Nonstandard | IDCS2512ER330M.pdf | |
| CDR10D48MNNP-120NC | 12µH Shielded Inductor 3.6A 42.5 mOhm Max Nonstandard | CDR10D48MNNP-120NC.pdf | |
 | ERJ-14NF2211U | RES SMD 2.21K OHM 1% 1/2W 1210 | ERJ-14NF2211U.pdf | |
 | PE0603FRF070R005L | RES SMD 0.005 OHM 1% 1/10W 0603 | PE0603FRF070R005L.pdf | |
 | ULW2-68RJA25 | RES 68 OHM 2W 5% AXIAL | ULW2-68RJA25.pdf | |
 | MAX2057ETX+T | RF Amplifier IC Cellular, ATE, GSM, EDGE, ISM, W-CDMA, 802.16/WiMax, CDMA2000 1.7GHz ~ 2.5GHz 36-TQFN (6x6) | MAX2057ETX+T.pdf |
