Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-3X017T
- 제조업체 부품 번호
- CNY17-3X017T
- 제조업 자
- Vishay Semiconductor Opto Division
- 제품 카테고리
- 광분리기 - 트랜지스터, 광전지 출력
- 간단한 설명
- Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-SMD
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
CNY17-3X017T 가격 및 조달
가능 수량
2150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 287.62906
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of CNY17-3X017T, we specialize in all series Vishay Semiconductor Opto Division electronic components. CNY17-3X017T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CNY17-3X017T, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- CNY17-3X017T 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
CNY17-3X017T 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-CNY17-3X017T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | CNY17 | |
| 종류 | 절연기 | |
| 제품군 | 광분리기 - 트랜지스터, 광전지 출력 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Opto Division | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 채널 개수 | 1 | |
| 전압 - 분리 | 5000Vrms | |
| 전류 전달비(최소) | 100% @ 10mA | |
| 전류 전달비(최대) | 200% @ 10mA | |
| 턴온/턴오프(통상) | 3µs, 2.3µs | |
| 상승/하강 시간(통상) | 2µs, 2µs | |
| 입력 유형 | DC | |
| 출력 유형 | 베이스 포함 트랜지스터 | |
| 전압 - 출력(최대) | 70V | |
| 전류 - 출력/채널 | 50mA | |
| 전압 - 순방향(Vf) 통상 | 1.39V | |
| 전류 - DC 순방향(If) | 60mA | |
| Vce 포화(최대) | 400mV | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 110°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 갈매기날개형 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-SMD | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | CNY17-3X017T-ND CNY17-3X017TTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | CNY17-3X017T | |
| 관련 링크 | CNY17-, CNY17-3X017T Datasheet, Vishay Semiconductor Opto Division Distributor | |
CNY17-3X017T 의 관련 제품
 | GRM1555C1H111JA01D | 110pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1H111JA01D.pdf | |
.jpg) | GQM1885C1H110JB01D | 11pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GQM1885C1H110JB01D.pdf | |
.jpg) | CX2016DB40000D0FLJCC | 40MHz ±10ppm 수정 8pF 50옴 -30°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX2016DB40000D0FLJCC.pdf | |
 | CD1408-FF1400 | DIODE GEN PURP 400V 1A 1408 | CD1408-FF1400.pdf | |
 | GP1M009A020CG | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK | GP1M009A020CG.pdf | |
 | PM1812-8R2J-RC | 8.2µH Unshielded Inductor 270mA 1.4 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | PM1812-8R2J-RC.pdf | |
 | RR1220P-2051-D-M | RES SMD 2.05KOHM 0.5% 1/10W 0805 | RR1220P-2051-D-M.pdf | |
 | ERJ-S1TF2403U | RES SMD 240K OHM 1% 1W 2512 | ERJ-S1TF2403U.pdf | |
 | RNMF14FTD523R | RES 523 OHM 1/4W 1% AXIAL | RNMF14FTD523R.pdf | |
 | CMF601K8000BER6 | RES 1.8K OHM 1W .1% AXIAL | CMF601K8000BER6.pdf | |
| CMF6068K100FHEK | RES 68.1K OHM 1W 1% AXIAL | CMF6068K100FHEK.pdf | |
 | Y00078R20000B0L | RES 8.2 OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y00078R20000B0L.pdf |
