Yageo CQ0402JRNPO9BN130
.jpg)
CQ0402JRNPO9BN130 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 15.74670
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of CQ0402JRNPO9BN130, we specialize in all series Yageo electronic components. CQ0402JRNPO9BN130 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CQ0402JRNPO9BN130, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- CQ0402JRNPO9BN130 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
CQ0402JRNPO9BN130 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-CQ0402JRNPO9BN130 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | Hi Q Series | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Yageo | |
| 계열 | CQ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 13pF | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전압 - 정격 | 50V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0402(1005 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.022"(0.55mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | CQ0402JRNPO9BN130 | |
| 관련 링크 | CQ0402JR, CQ0402JRNPO9BN130 Datasheet, Yageo Distributor | |
CQ0402JRNPO9BN130 의 관련 제품
 | APXG250ARA560MF80G | 56µF 25V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can - SMD 28 mOhm 15000 Hrs @ 105°C | APXG250ARA560MF80G.pdf | |
 | EEU-FR1H560 | 56µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | EEU-FR1H560.pdf | |
 | LD051A270FAB2A | 27pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | LD051A270FAB2A.pdf | |
 | BFC238623125 | 1.2µF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Rectangular Box 1.319" L x 0.866" W (33.50mm x 22.00mm) | BFC238623125.pdf | |
 | 7A-19.200MAAE-T | 19.2MHz ±30ppm 수정 12pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7A-19.200MAAE-T.pdf | |
| 4P073F35CDT | 7.3728MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 4P073F35CDT.pdf | |
| SIT1602BC-23-25E-25.000000E | OSC XO 2.5V 25MHZ OE | SIT1602BC-23-25E-25.000000E.pdf | |
| SIT9120AI-2C2-33E200.0000T | OSC XO 3.3V 200MHZ | SIT9120AI-2C2-33E200.0000T.pdf | |
 | TPCA8006-H(TE12L,Q | MOSFET N-CH 100V 18A 8-SOPA | TPCA8006-H(TE12L,Q.pdf | |
| RL1218-151-R | 150µH Unshielded Wirewound Inductor 1.89A 159 mOhm Max Radial | RL1218-151-R.pdf | |
 | RG2012N-3480-D-T5 | RES SMD 348 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012N-3480-D-T5.pdf | |
| TAH20P2R00JE | RES 2 OHM 20W 5% TO220 | TAH20P2R00JE.pdf |
