창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD16322Q5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | CSD16322Q5 | |
제품 교육 모듈 | NexFET MOSFET Technology | |
비디오 파일 | NexFET Power Block PowerStack™ Packaging Technology Overview | |
주요제품 | Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer | |
PCN 설계/사양 | Qualification Revision A 01/Jul/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Assembly/Test Site 03/Mar/2014 Qualification Wire Bond 27/May/2014 Assembly/Test Site Revision C 09/Feb/2015 | |
제조업체 제품 페이지 | CSD16322Q5 Specifications | |
카탈로그 페이지 | 1618 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A(Ta), 97A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5m옴 @ 20A, 8V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.7nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1365pF @ 12.5V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-VSON(5x6) | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 296-25112-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | CSD16322Q5 | |
관련 링크 | CSD16, CSD16322Q5 Datasheet, Texas Instruments Distributor |
![]() | 12067A181GAT2A | 180pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12067A181GAT2A.pdf | |
715P68356LD3 | 0.068µF Film Capacitor 200V 600V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.250" L x 0.600" W (31.80mm x 15.20mm) | 715P68356LD3.pdf | ||
![]() | FA-238V 14.31818MB-G3 | 14.31818MHz ±50ppm 수정 20pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-238V 14.31818MB-G3.pdf | |
![]() | SIT1602AI-11-33S-25.000000D | OSC XO 3.3V 25MHZ | SIT1602AI-11-33S-25.000000D.pdf | |
![]() | 1PMT4130C/TR7 | DIODE ZENER 68V 1W DO216 | 1PMT4130C/TR7.pdf | |
![]() | PHPT610030PKX | TRANS 2PNP 100V 3A 8LFPAK | PHPT610030PKX.pdf | |
LZ1-30UV00-0000 | Ultraviolet (UV) Emitter 365nm 4.1V 1A 70° Star Array | LZ1-30UV00-0000.pdf | ||
![]() | NRS6012T5R3MMGJV | 5.3µH Shielded Wirewound Inductor 1.55A 150 mOhm Max Nonstandard | NRS6012T5R3MMGJV.pdf | |
![]() | HM66A-1050151NLF13 | 150µH Shielded Wirewound Inductor 910mA 355.1 mOhm Max Nonstandard | HM66A-1050151NLF13.pdf | |
![]() | SFR16S0001004JA500 | RES 1M OHM 1/2W 5% AXIAL | SFR16S0001004JA500.pdf | |
![]() | ATT-0291-06-HEX-02 | RF Attenuator 6dB ±0.3dB 0Hz ~ 12.4GHz 2W HEX In-Line Module | ATT-0291-06-HEX-02.pdf | |
![]() | 310000030664 | HERMETIC THERMOSTAT | 310000030664.pdf |