창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD16408Q5C | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | CSD16408Q5C | |
제품 교육 모듈 | NexFET MOSFET Technology | |
비디오 파일 | NexFET Power Block PowerStack™ Packaging Technology Overview | |
주요제품 | DualCool NexFET CSD16 Q5C MOSFETs Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer | |
PCN 설계/사양 | Qualification Revision A 01/Jul/2014 | |
제조업체 제품 페이지 | CSD16408Q5C Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Ta), 113A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.9nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 12.5V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-SON-EP(5x6) | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 296-25647-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | CSD16408Q5C | |
관련 링크 | CSD16, CSD16408Q5C Datasheet, Texas Instruments Distributor |
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![]() | VJ0805D8R2CLPAC | 8.2pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D8R2CLPAC.pdf | |
![]() | 416F38025ISR | 38MHz ±20ppm 수정 시리즈 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38025ISR.pdf | |
![]() | SIT3807AC-C3-33EE-27.000000T | OSC XO 3.3V 27MHZ OE | SIT3807AC-C3-33EE-27.000000T.pdf | |
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![]() | RG3216V-7871-B-T5 | RES SMD 7.87K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216V-7871-B-T5.pdf | |
![]() | RNF12FTD68R1 | RES 68.1 OHM 1/2W 1% AXIAL | RNF12FTD68R1.pdf | |
![]() | CMF5510K000FKR670 | RES 10K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5510K000FKR670.pdf |