창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD17309Q3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | CSD17309Q3 | |
제품 교육 모듈 | NexFET MOSFET Technology | |
비디오 파일 | NexFET Power Block PowerStack™ Packaging Technology Overview | |
주요제품 | Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer | |
PCN 설계/사양 | Qualification Revision A 01/Jul/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Assembly/Test Site 03/Mar/2014 Qualification Wire Bond 27/May/2014 Assembly/Test Site Revision C 09/Feb/2015 | |
제조업체 제품 페이지 | CSD17309Q3 Specifications | |
카탈로그 페이지 | 1618 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta), 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.4m옴 @ 18A, 8V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.7V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1440pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-VSON(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 296-27250-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | CSD17309Q3 | |
관련 링크 | CSD17, CSD17309Q3 Datasheet, Texas Instruments Distributor |
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![]() | 12067A120GAT2A | 12pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12067A120GAT2A.pdf | |
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![]() | 1 MBAR-D-4V | Pressure Sensor ±0.02 PSI (±0.1 kPa) Differential Male - 0.19" (4.8mm) Tube, Dual 0.25 V ~ 4.25 V 4-SIP Module | 1 MBAR-D-4V.pdf |