Texas Instruments CSD17578Q3AT
- 제조업체 부품 번호
- CSD17578Q3AT
- 제조업 자
- Texas Instruments
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
CSD17578Q3AT 가격 및 조달
가능 수량
2400 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 299.61840
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of CSD17578Q3AT, we specialize in all series Texas Instruments electronic components. CSD17578Q3AT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD17578Q3AT, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- CSD17578Q3AT 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
CSD17578Q3AT 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD17578Q3AT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | CSD17578Q3A Datasheet | |
| 주요제품 | CSD1757xx Family MOSFETs | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD17578Q3AT Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.3m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.9V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22.2nC @ 10V | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1590pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 3.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-VSONP(3x3.15) | |
| 표준 포장 | 250 | |
| 다른 이름 | 296-38462-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | CSD17578Q3AT | |
| 관련 링크 | CSD175, CSD17578Q3AT Datasheet, Texas Instruments Distributor | |
CSD17578Q3AT 의 관련 제품
 | UTS1C101MDD | 100µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | UTS1C101MDD.pdf | |
-55.jpg) | C1608X5R1A684M080AC | 0.68µF 10V 세라믹 커패시터 X5R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608X5R1A684M080AC.pdf | |
-Kemet.jpg) | C1206C101K1GALTU | 100pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C101K1GALTU.pdf | |
 | VJ0402D100JXAAC | 10pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D100JXAAC.pdf | |
 | C927U300JYNDAA7317 | 30pF 400VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.354" Dia(9.00mm) | C927U300JYNDAA7317.pdf | |
 | F1772SX251231KKIB0 | 1.2µF Film Capacitor 310V 630V Polyester, Metallized Radial 1.240" L x 0.709" W (31.50mm x 18.00mm) | F1772SX251231KKIB0.pdf | |
 | 173D105X5035V | 1µF Molded Tantalum Capacitors 35V Axial 0.110" Dia x 0.290" L (2.79mm x 7.37mm) | 173D105X5035V.pdf | |
| AA0805JR-072K4L | RES SMD 2.4K OHM 5% 1/8W 0805 | AA0805JR-072K4L.pdf | |
 | RG2012P-4322-D-T5 | RES SMD 43.2K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012P-4322-D-T5.pdf | |
-TNP-SERIES.jpg) | TNPW08059K31BETA | RES SMD 9.31K OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW08059K31BETA.pdf | |
.jpg) | PHP00603E1472BST1 | RES SMD 14.7K OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E1472BST1.pdf | |
 | ADL5606ACPZ-R7 | RF Amplifier IC General Purpose 1.8GHz ~ 2.7GHz 16-LFCSP-VQ (4x4) | ADL5606ACPZ-R7.pdf |
