Texas Instruments CSD18509Q5BT

CSD18509Q5BT
제조업체 부품 번호
CSD18509Q5BT
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
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내부 부품 번호EIS-CSD18509Q5BT
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서CSD18509Q5B
PCN 조립/원산지Assembly/Test Site Transfer 19/Dec/2014
제조업체 제품 페이지CSD18509Q5BT Specifications
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Texas Instruments
계열NexFET™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)40V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C100A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.2m옴 @ 32A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs195nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds13900pF @ 20V
전력 - 최대3.1W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력TDFN
공급 장치 패키지8-VSON(5x6)
표준 포장 250
다른 이름296-37962-2
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)CSD18509Q5BT
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