창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD18531Q5A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | CSD18531Q5A | |
주요제품 | Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer | |
제조업체 제품 페이지 | CSD18531Q5A Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 19A(Ta), 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.6m옴 @ 22A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3840pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-VSONP(5x6) | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 296-30573-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | CSD18531Q5A | |
관련 링크 | CSD18, CSD18531Q5A Datasheet, Texas Instruments Distributor |
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VJ2220Y823KBPAT4X | 0.082µF 250V 세라믹 커패시터 X7R 2220(5750 미터법) 0.226" L x 0.200" W(5.74mm x 5.08mm) | VJ2220Y823KBPAT4X.pdf | ||
AQ137M100FA7RE | 10pF 500V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ137M100FA7RE.pdf | ||
PVC411 | 10000pF Film Capacitor 200V 400V Polyester Radial 0.350" Dia x 0.701" L (8.90mm x 17.80mm) | PVC411.pdf | ||
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CLS62NP-270NC | 27µH Shielded Inductor 432mA 412 mOhm Max 4-SMD | CLS62NP-270NC.pdf | ||
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KAI-16070-AXA-JD-B2 | CCD Image Sensor 4864H x 3232V 7.4µm x 7.4µm 72-CPGA (47.24x45.34) | KAI-16070-AXA-JD-B2.pdf |