창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD18532KCS | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | CSD18532KCS | |
PCN 조립/원산지 | Site Chg 04/Dec/2015 Site Chg 25/Jan/2016 | |
제조업체 제품 페이지 | CSD18532KCS Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 53nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4680pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 296-34941-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | CSD18532KCS | |
관련 링크 | CSD18, CSD18532KCS Datasheet, Texas Instruments Distributor |
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![]() | ER3GB-TP | DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA | ER3GB-TP.pdf | |
![]() | 26S680C | 68µH Shielded Wirewound Inductor 1.26A 170 mOhm Max Nonstandard | 26S680C.pdf | |
![]() | AA0805FR-0712K7L | RES SMD 12.7K OHM 1% 1/8W 0805 | AA0805FR-0712K7L.pdf | |
![]() | AT0402DRE07182RL | RES SMD 182 OHM 0.5% 1/16W 0402 | AT0402DRE07182RL.pdf | |
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![]() | MBA02040C4428FRP00 | RES 4.42 OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C4428FRP00.pdf | |
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![]() | CMF652K7000FHR6 | RES 2.7K OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF652K7000FHR6.pdf |