창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD19506KTT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 2(1년) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | CSD19506KTT Datasheet | |
제조업체 제품 페이지 | CSD19506KTT Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.3m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 156nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 12200pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-4, D²Pak(3리드(lead)+탭), TO-263AA | |
공급 장치 패키지 | DDPAK/TO-263-3 | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | CSD19506KTT | |
관련 링크 | CSD19, CSD19506KTT Datasheet, Texas Instruments Distributor |
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![]() | BAV170Q-7-F | DIODE ARRAY GP 85V 125MA SOT23-3 | BAV170Q-7-F.pdf | |
![]() | LTPL-C08DZS30 | LED Lighting C08 White, Warm 3000K 100V 40mA 130° 8-SMD, No Lead Exposed Pad | LTPL-C08DZS30.pdf | |
![]() | B82141B1392K9 | 3.9µH Unshielded Wirewound Inductor 560mA 320 mOhm Max Radial | B82141B1392K9.pdf | |
![]() | MCR03ERTJ750 | RES SMD 75 OHM 5% 1/10W 0603 | MCR03ERTJ750.pdf | |
![]() | TNPW12061M00BETA | RES SMD 1M OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW12061M00BETA.pdf | |
![]() | CRCW0603680RFKTA | RES SMD 680 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW0603680RFKTA.pdf | |
![]() | CMF6016K200FKEB | RES 16.2K OHM 1W 1% AXIAL | CMF6016K200FKEB.pdf | |
![]() | CMF651M5000FERE | RES 1.5M OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF651M5000FERE.pdf | |
![]() | SSCMRNN040MD2A3 | Pressure Sensor ±0.58 PSI (±4 kPa) Differential Male - 0.08" (1.93mm) Tube 12 b 8-SMD, J-Lead, Side Port | SSCMRNN040MD2A3.pdf |