Texas Instruments CSD19532Q5BT
- 제조업체 부품 번호
- CSD19532Q5BT
- 제조업 자
- Texas Instruments
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 100A VSON
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
CSD19532Q5BT 가격 및 조달
가능 수량
1400 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,360.61360
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of CSD19532Q5BT, we specialize in all series Texas Instruments electronic components. CSD19532Q5BT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD19532Q5BT, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- CSD19532Q5BT 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
CSD19532Q5BT 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD19532Q5BT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | CSD19532Q5B Datasheet | |
| 애플리케이션 노트 | Ringing Reduction Techniques for MOSFETS | |
| PCN 설계/사양 | Qualification Revision A 01/Jul/2014 | |
| PCN 조립/원산지 | Qualification Wire Bond 27/May/2014 Assembly/Test Site Transfer 19/Dec/2014 | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD19532Q5B Specifications CSD19532Q5BT Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 신제품 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.9m옴 @ 17A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 62nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4810pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | * | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-VSON(5x6) | |
| 표준 포장 | 250 | |
| 다른 이름 | 296-44471-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | CSD19532Q5BT | |
| 관련 링크 | CSD195, CSD19532Q5BT Datasheet, Texas Instruments Distributor | |
CSD19532Q5BT 의 관련 제품
 | C0603C689J8GACTU | 6.8pF 10V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C689J8GACTU.pdf | |
 | HAX222MBABF0KR | 2200pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | HAX222MBABF0KR.pdf | |
| VJ0805D102KXXAJ | 1000pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D102KXXAJ.pdf | |
 | 1812SA221JATME | 220pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812SA221JATME.pdf | |
.jpg) | ECJ-1VF1C474Z | 0.47µF 16V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | ECJ-1VF1C474Z.pdf | |
 | 20CJQ060TR | DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V SOT223 | 20CJQ060TR.pdf | |
 | BZD27C120P-HE3-18 | DIODE ZENER 800MW SMF DO219 | BZD27C120P-HE3-18.pdf | |
| T607061534BT | SCR FAST SW 150A 600V TO-93 | T607061534BT.pdf | |
| 4379R-475KS | 4.7mH Shielded Inductor 26mA 70 Ohm Max 2-SMD | 4379R-475KS.pdf | |
 | MCR01MZPJ331 | RES SMD 330 OHM 5% 1/16W 0402 | MCR01MZPJ331.pdf | |
.jpg) | AT1206BRD0790K9L | RES SMD 90.9K OHM 0.1% 1/4W 1206 | AT1206BRD0790K9L.pdf | |
 | ORNV25025001UF | RES NETWORK 5 RES MULT OHM 8SOIC | ORNV25025001UF.pdf |
