창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD19533Q5A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | CSD19533Q5A Datasheet | |
제조업체 제품 페이지 | CSD19533Q5A Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11.1m옴 @ 13A, 6V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2670pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 3.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-VSON(5x6) | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 296-37479-2 CSD19533Q5A-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | CSD19533Q5A | |
관련 링크 | CSD19, CSD19533Q5A Datasheet, Texas Instruments Distributor |
![]() | 251R14S130FV4T | 13pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.062" L x 0.032" W(1.57mm x 0.81mm) | 251R14S130FV4T.pdf | |
![]() | 2039-80-ALF | GDT 800V 20% 2.5KA | 2039-80-ALF.pdf | |
![]() | STF20100 | DIODE SCHOTTKY 100V ITO220AC | STF20100.pdf | |
![]() | MJE5852G | TRANS PNP 400V 8A TO220AB | MJE5852G.pdf | |
![]() | IRG4IBC20UDPBF | IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP | IRG4IBC20UDPBF.pdf | |
![]() | FN2070-12-07 | FILTER MULTI-STAGE PERFORM 12A | FN2070-12-07.pdf | |
![]() | MLF1005VR18JT000 | 180nH Shielded Multilayer Inductor 160mA 720 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | MLF1005VR18JT000.pdf | |
![]() | 1812-564F | 560µH Unshielded Inductor 82mA 30 Ohm Max 2-SMD | 1812-564F.pdf | |
![]() | RW2S0DA5R00JE | RES SMD 5 OHM 5% 2W J LEAD | RW2S0DA5R00JE.pdf | |
![]() | MCR18EZHF3162 | RES SMD 31.6K OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18EZHF3162.pdf | |
![]() | AT1206CRD0730K1L | RES SMD 30.1KOHM 0.25% 1/4W 1206 | AT1206CRD0730K1L.pdf | |
![]() | CMF50100R00FKRE | RES 100 OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF50100R00FKRE.pdf |