창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD19535KTTT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 면제 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 2(1년) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | CSD19535KTT | |
제조업체 제품 페이지 | CSD19535KTTT Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.4m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 98nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7930pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-4, D²Pak(3리드(lead)+탭), TO-263AA | |
공급 장치 패키지 | DDPAK/TO-263-3 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 296-41135-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | CSD19535KTTT | |
관련 링크 | CSD195, CSD19535KTTT Datasheet, Texas Instruments Distributor |
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![]() | RG2012N-3012-B-T5 | RES SMD 30.1K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012N-3012-B-T5.pdf | |
![]() | Y1121127R000T9R | RES SMD 127OHM 0.01% 1/4W J LEAD | Y1121127R000T9R.pdf | |
![]() | PPT0050DFW2VB | Pressure Sensor ±50 PSI (±344.74 kPa) Differential Male - 0.13" (3.18mm) Tube, Filter 0 V ~ 5 V Module Cube | PPT0050DFW2VB.pdf |