Texas Instruments CSD19536KTTT
- 제조업체 부품 번호
- CSD19536KTTT
- 제조업 자
- Texas Instruments
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 200A TO263
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
CSD19536KTTT 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 3,010.03280
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of CSD19536KTTT, we specialize in all series Texas Instruments electronic components. CSD19536KTTT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD19536KTTT, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- CSD19536KTTT 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
CSD19536KTTT 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD19536KTTT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 면제 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 2(1년) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | CSD19536KTT | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD19536KTTT Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 153nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 12000pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 375W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-4, D²Pak(3리드(lead)+탭), TO-263AA | |
| 공급 장치 패키지 | DDPAK/TO-263-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 296-41136-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | CSD19536KTTT | |
| 관련 링크 | CSD195, CSD19536KTTT Datasheet, Texas Instruments Distributor | |
CSD19536KTTT 의 관련 제품
 | MKP385322040JD02G0 | 0.022µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | MKP385322040JD02G0.pdf | |
| MKT1817427066D | 0.27µF Film Capacitor 40V 63V Polyester, Metallized Radial | MKT1817427066D.pdf | |
 | BFC238352392 | 3900pF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | BFC238352392.pdf | |
| MKP385433160JKM2T0 | 0.33µF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.827" W (31.00mm x 21.00mm) | MKP385433160JKM2T0.pdf | |
 | 2EZ56D/TR8 | DIODE ZENER 56V 2W DO204AL | 2EZ56D/TR8.pdf | |
 | 744758382A | 8.2µH Unshielded Wirewound Inductor 320mA 2.6 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | 744758382A.pdf | |
 | SC3DM-332 | 3.3mH Shielded Inductor 140mA 11.5 Ohm Max Nonstandard | SC3DM-332.pdf | |
.jpg) | 6-2176073-1 | RES SMD 2.26KOHM 0.5% 1/32W 0201 | 6-2176073-1.pdf | |
.jpg) | RT1206WRC0717R8L | RES SMD 17.8 OHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRC0717R8L.pdf | |
 | CMF5014K200DHEB | RES 14.2K OHM 1/4W .5% AXIAL | CMF5014K200DHEB.pdf | |
 | WA04P009XCTL | RF Attenuator 9dB ±0.4dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 100mW 0404 (1010 Metric), Concave | WA04P009XCTL.pdf | |
| P51-2000-S-C-M12-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 2000 PSI (13789.51 kPa) Sealed Gauge Male - M12 x 1.5 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-2000-S-C-M12-4.5OVP-000-000.pdf |
