창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD19538Q2T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | CSD19538Q2 Datasheet | |
제조업체 제품 페이지 | CSD19538Q2T Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 신제품 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13.1A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 59m옴 @ 5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.8V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.6nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 454pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-WDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 6-WSON(2x2) | |
표준 포장 | 250 | |
다른 이름 | 296-44612-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | CSD19538Q2T | |
관련 링크 | CSD19, CSD19538Q2T Datasheet, Texas Instruments Distributor |
UPJ1J120MDD1TA | 12µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | UPJ1J120MDD1TA.pdf | ||
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C0603C560F5GALTU | 56pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C560F5GALTU.pdf | ||
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MKP385320250JKP2T0 | 0.02µF Film Capacitor 900V 2500V (2.5kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.433" W (31.00mm x 11.00mm) | MKP385320250JKP2T0.pdf | ||
IPI65R190CFDXKSA1 | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262 | IPI65R190CFDXKSA1.pdf | ||
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1537R-18J | 1.8µH Unshielded Molded Inductor 590mA 650 mOhm Max Axial | 1537R-18J.pdf | ||
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AT0603DRE0726K7L | RES SMD 26.7KOHM 0.5% 1/10W 0603 | AT0603DRE0726K7L.pdf | ||
RC1218DK-07560KL | RES SMD 560K OHM 1W 1812 WIDE | RC1218DK-07560KL.pdf | ||
Y1453525R939A9L | RES 525.939 OHM 0.6W 0.05% RAD | Y1453525R939A9L.pdf |