창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD19538Q3AT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | CSD19538Q3A Datasheet | |
애플리케이션 노트 | Ringing Reduction Techniques for MOSFETS | |
제조업체 제품 페이지 | CSD19538Q3AT Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 신제품 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 59m옴 @ 5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.8V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.3nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 454pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 2.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-VSONP(3x3.15) | |
표준 포장 | 250 | |
다른 이름 | 296-44473-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | CSD19538Q3AT | |
관련 링크 | CSD195, CSD19538Q3AT Datasheet, Texas Instruments Distributor |
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![]() | CL31C270JHFNNNE | 27pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CL31C270JHFNNNE.pdf | |
![]() | VJ0805A680JXACW1BC | 68pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805A680JXACW1BC.pdf | |
![]() | B37984M5334K051 | 0.33µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.354" L x 0.295" W(9.00mm x 7.50mm) | B37984M5334K051.pdf | |
![]() | SMF58A-M3-18 | TVS DIODE 58VWM 95VC DO-219AB | SMF58A-M3-18.pdf | |
![]() | AISM-1812-R56M-T | 560nH Unshielded Wirewound Inductor 520mA 400 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | AISM-1812-R56M-T.pdf | |
![]() | HM66-40150LFTR13 | 15µH Shielded Wirewound Inductor 970mA 196 mOhm Max Nonstandard | HM66-40150LFTR13.pdf | |
![]() | RG1608P-152-D-T5 | RES SMD 1.5K OHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608P-152-D-T5.pdf | |
![]() | AT1206DRD07115KL | RES SMD 115K OHM 0.5% 1/4W 1206 | AT1206DRD07115KL.pdf | |
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