창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD19538Q3AT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | CSD19538Q3A Datasheet | |
애플리케이션 노트 | Ringing Reduction Techniques for MOSFETS | |
제조업체 제품 페이지 | CSD19538Q3AT Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 신제품 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 59m옴 @ 5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.8V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.3nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 454pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 2.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-VSONP(3x3.15) | |
표준 포장 | 250 | |
다른 이름 | 296-44473-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | CSD19538Q3AT | |
관련 링크 | CSD195, CSD19538Q3AT Datasheet, Texas Instruments Distributor |
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![]() | 170154J160DB | 0.15µF Film Capacitor 90V 160V Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.276" Dia x 0.650" L (7.00mm x 16.50mm) | 170154J160DB.pdf | |
![]() | PMT3(310)35004 | GDT 350V 20KA THROUGH HOLE | PMT3(310)35004.pdf | |
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![]() | VLF12060T-151M1R6 | 150µH Shielded Wirewound Inductor 1.6A 215 mOhm Max Nonstandard | VLF12060T-151M1R6.pdf | |
![]() | CRG0402F220K | RES SMD 220K OHM 1% 1/16W 0402 | CRG0402F220K.pdf | |
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![]() | AA1206FR-0782RL | RES SMD 82 OHM 1% 1/4W 1206 | AA1206FR-0782RL.pdf | |
![]() | ERJ-S03J162V | RES SMD 1.6K OHM 5% 1/10W 0603 | ERJ-S03J162V.pdf | |
![]() | Y4725100R000F0L | RES 100 OHM 3/4W 1% AXIAL | Y4725100R000F0L.pdf |