창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD22204WT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | CSD22204W | |
제조업체 제품 페이지 | CSD22204WT Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 8V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.9m옴 @ 2A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 950mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24.6nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1130pF @ 4V | |
전력 - 최대 | 1.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 9-UFBGA, DSBGA | |
공급 장치 패키지 | 9-DSBGA | |
표준 포장 | 250 | |
다른 이름 | 296-41137-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | CSD22204WT | |
관련 링크 | CSD22, CSD22204WT Datasheet, Texas Instruments Distributor |
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TYS3010470M-10 | 47µH Shielded Inductor 260mA 1.95 Ohm Max Nonstandard | TYS3010470M-10.pdf | ||
![]() | 4816P-T03-121/121 | RES NTWRK 28 RES 120 OHM 16SOIC | 4816P-T03-121/121.pdf | |
![]() | TWW10J1R0E | RES 1 OHM 10W 5% RADIAL | TWW10J1R0E.pdf | |
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