창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD23381F4T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | CSD23381F4 | |
PCN 설계/사양 | DSBGA/uSIP 22/Jun/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Transfer 19/Dec/2014 | |
제조업체 제품 페이지 | CSD23381F4T Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | FemtoFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.3A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 175m옴 @ 500mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.14nC(6V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 236pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 500mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-XFDFN | |
공급 장치 패키지 | 3-PICOSTAR | |
표준 포장 | 250 | |
다른 이름 | 296-37782-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | CSD23381F4T | |
관련 링크 | CSD23, CSD23381F4T Datasheet, Texas Instruments Distributor |
157LBB450M2BG | 150µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 1.65786 Ohm @ 120Hz 3000 Hrs @ 85°C | 157LBB450M2BG.pdf | ||
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CC45SL3AD221JYNNA | 220pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.335" Dia(8.50mm) | CC45SL3AD221JYNNA.pdf | ||
500R07S1R1AV4T | 1.1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | 500R07S1R1AV4T.pdf | ||
V12ZA1P | VARISTOR 12.5V 100A DISC 7MM | V12ZA1P.pdf | ||
BF820,215 | TRANS NPN 300V 0.05A SOT23 | BF820,215.pdf | ||
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RPC0603JT82R0 | RES SMD 82 OHM 5% 1/10W 0603 | RPC0603JT82R0.pdf | ||
TNPW12101K50BEEN | RES SMD 1.5K OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW12101K50BEEN.pdf | ||
MBB02070C9311FCT00 | RES 9.31K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C9311FCT00.pdf | ||
RSMF1JB2K40 | RES MO 1W 2.4K OHM 5% AXIAL | RSMF1JB2K40.pdf | ||
WHA200FE | RES 200 OHM 1/2W 1% AXIAL | WHA200FE.pdf |