창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD23382F4T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | CSD23382F4 | |
PCN 설계/사양 | DSBGA/uSIP 22/Jun/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Transfer 19/Dec/2014 | |
제조업체 제품 페이지 | CSD23382F4T Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | FemtoFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 76m옴 @ 500mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.35nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 235pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 500mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-XFDFN | |
공급 장치 패키지 | 3-PICOSTAR | |
표준 포장 | 250 | |
다른 이름 | 296-37874-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | CSD23382F4T | |
관련 링크 | CSD23, CSD23382F4T Datasheet, Texas Instruments Distributor |
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![]() | 1210AA221KAT1A | 220pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | 1210AA221KAT1A.pdf | |
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