Texas Instruments CSD25213W10
- 제조업체 부품 번호
- CSD25213W10
- 제조업 자
- Texas Instruments
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
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CSD25213W10 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD25213W10 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | CSD25213W10 | |
| PCN 설계/사양 | DSBGA/uSIP 22/Jun/2016 | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD25213W10 Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.6A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 47m옴 @ 1A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.9nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 478pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-UFBGA, DSBGA | |
| 공급 장치 패키지 | 4-DSBGA(1x1) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 296-40004-2 CSD25213W10-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | CSD25213W10 | |
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