창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD85301Q2T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | CSD85301Q2 | |
제조업체 제품 페이지 | CSD85301Q2T Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 27밀리옴 @ 5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.4nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 469pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 2.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-WDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 6-WSON(2x2) | |
표준 포장 | 250 | |
다른 이름 | 296-38668-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | CSD85301Q2T | |
관련 링크 | CSD85, CSD85301Q2T Datasheet, Texas Instruments Distributor |
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![]() | SMBJ51A-M3/5B | TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO-215AA | SMBJ51A-M3/5B.pdf | |
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![]() | ERG-1SJ243A | RES 24K OHM 1W 5% AXIAL | ERG-1SJ243A.pdf | |
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