창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD86311W1723 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | CSD86311W1723 | |
제품 교육 모듈 | NexFET MOSFET Technology | |
비디오 파일 | NexFET Power Block PowerStack™ Packaging Technology Overview | |
제조업체 제품 페이지 | CSD86311W1723 Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 39m옴 @ 2A, 8V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 585pF @ 12.5V | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 12-UFBGA, DSBGA | |
공급 장치 패키지 | 12-DSBGA(1.53x1.98) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 296-27599-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | CSD86311W1723 | |
관련 링크 | CSD863, CSD86311W1723 Datasheet, Texas Instruments Distributor |
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![]() | CTX10-10-52-R | 10µH Unshielded Toroidal Inductor 16.9A 5.1 mOhm Max Radial | CTX10-10-52-R.pdf | |
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![]() | WSL2512R3500FEA | RES SMD 0.35 OHM 1% 1W 2512 | WSL2512R3500FEA.pdf | |
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![]() | RC0S2CA470RJET | RES SMD 470 OHM 5% 1/4W J LEAD | RC0S2CA470RJET.pdf | |
![]() | CMF5516K900FHEB | RES 16.9K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5516K900FHEB.pdf | |
![]() | MRS25000C6802FCT00 | RES 68K OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C6802FCT00.pdf | |
![]() | P51-100-A-J-D-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Absolute Male - 3/8" (9.52mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-100-A-J-D-4.5OVP-000-000.pdf |