Texas Instruments CSD86330Q3D

CSD86330Q3D
제조업체 부품 번호
CSD86330Q3D
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
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MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
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내부 부품 번호EIS-CSD86330Q3D
무연 여부 / RoHS 준수 여부납 함유 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서CSD86330Q3D
제품 교육 모듈NexFET MOSFET Technology
비디오 파일PowerStack™ Packaging Technology Overview
주요제품CSD86330Q3D NexFET™ Power Block
CSD86330Q3D Power Block and TPS53219 Buck Controller
PCN 설계/사양Qualification Revision A 01/Jul/2014
PCN 조립/원산지Qualification Assembly/Test Site 03/Mar/2014
Qualification Revision 10/Mar/2014
Qualification Wire Bond 27/May/2014
Assembly/Test Site Transfer 19/Dec/2014
Assembly/Test Site Revision C 09/Feb/2015
PCN 포장MSL1 Bubble Bag Conversion 24/Sep/2013
제조업체 제품 페이지CSD86330Q3D Specifications
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Texas Instruments
계열NexFET™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N 채널(하프브리지)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)25V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C20A
Rds On(최대) @ Id, Vgs9.6m옴 @ 14A, 8V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.1V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs6.2nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds920pF @ 12.5V
전력 - 최대6W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-PowerLDFN
공급 장치 패키지8-LSON(5x6)
표준 포장 2,500
다른 이름296-28216-2
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)CSD86330Q3D
관련 링크CSD86, CSD86330Q3D Datasheet, Texas Instruments Distributor
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