Texas Instruments CSD86360Q5D
- 제조업체 부품 번호
- CSD86360Q5D
- 제조업 자
- Texas Instruments
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON
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CSD86360Q5D 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD86360Q5D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | CSD86360Q5D | |
| PCN 설계/사양 | Qualification Revision A 01/Jul/2014 | |
| PCN 조립/원산지 | Qualification Wire Bond 27/May/2014 Assembly/Test Site Addition 10/Aug/2015 | |
| PCN 포장 | MSL1 Bubble Bag Conversion 24/Sep/2013 | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD86360Q5D Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12.6nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2060pF @ 12.5 | |
| 전력 - 최대 | 13W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-PowerLDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-LSON(5x6) | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 296-35026-2 CSD86360Q5D-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | CSD86360Q5D | |
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