Texas Instruments CSD87312Q3E

CSD87312Q3E
제조업체 부품 번호
CSD87312Q3E
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
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내부 부품 번호EIS-CSD87312Q3E
무연 여부 / RoHS 준수 여부납 함유 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서CSD87312Q3E
PCN 설계/사양QFN 12mm Tape Width 18/Oct/2013
PCN 포장MSL1 Bubble Bag Conversion 24/Sep/2013
제조업체 제품 페이지CSD87312Q3E Specifications
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Texas Instruments
계열NexFET™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2N 채널(이중) 공통 소스
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C27A
Rds On(최대) @ Id, Vgs33m옴 @ 7A , 8V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs8.2nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1250pF @ 15V
전력 - 최대2.5W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력TDFN
공급 장치 패키지8-VSON(3.3x3.3)
표준 포장 2,500
다른 이름296-35526-2
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)CSD87312Q3E
관련 링크CSD87, CSD87312Q3E Datasheet, Texas Instruments Distributor
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