Central Semiconductor Corp CTLDM304P-M832DS TR
- 제조업체 부품 번호
- CTLDM304P-M832DS TR
- 제조업 자
- Central Semiconductor Corp
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
CTLDM304P-M832DS TR 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 355.82976
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of CTLDM304P-M832DS TR, we specialize in all series Central Semiconductor Corp electronic components. CTLDM304P-M832DS TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CTLDM304P-M832DS TR, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- CTLDM304P-M832DS TR 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
CTLDM304P-M832DS TR 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-CTLDM304P-M832DS TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | CTLDM304P-M832DS | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Declaration of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Central Semiconductor Corp | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.2A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 70m옴 @ 4.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.4nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 760pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1.65W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-TDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | TLM832DS | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | CTLDM304P-M832DS TR LEAD FREE | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | CTLDM304P-M832DS TR | |
| 관련 링크 | CTLDM304P, CTLDM304P-M832DS TR Datasheet, Central Semiconductor Corp Distributor | |
CTLDM304P-M832DS TR 의 관련 제품
 | UPT2W180MHD1TO | 18µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | UPT2W180MHD1TO.pdf | |
 | GRM1857U1A562JA44D | 5600pF 10V 세라믹 커패시터 U2J 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1857U1A562JA44D.pdf | |
 | 416F40035CST | 40MHz ±30ppm 수정 시리즈 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40035CST.pdf | |
 | FX532B-24.576 | 24.576MHz ±50ppm 수정 20pF 60옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FX532B-24.576.pdf | |
 | 108-153H | 15µH Unshielded Inductor 79mA 4.2 Ohm Max 2-SMD | 108-153H.pdf | |
 | RR1220P-5493-D-M | RES SMD 549K OHM 0.5% 1/10W 0805 | RR1220P-5493-D-M.pdf | |
.jpg) | RT0805DRE07741RL | RES SMD 741 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRE07741RL.pdf | |
| RC0100FR-0718K2L | RES SMD 18.2K OHM 1% 1/32W 01005 | RC0100FR-0718K2L.pdf | |
.jpg) | AT1206CRD0717K8L | RES SMD 17.8KOHM 0.25% 1/4W 1206 | AT1206CRD0717K8L.pdf | |
 | RG1608N-2371-W-T1 | RES SMD 2.37K OHM 1/10W 0603 | RG1608N-2371-W-T1.pdf | |
| Y112130K0000T9R | RES SMD 30K OHM 0.16W 2512 | Y112130K0000T9R.pdf | |
 | RNF12FTC76K8 | RES 76.8K OHM 1/2W 1% AXIAL | RNF12FTC76K8.pdf |
