창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CUS05S30,H3F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | CUS05S30 | |
주요제품 | Toshiba - Schottky Barrier Diodes | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
전류 -평균 정류(Io) | 500mA | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 340mV @ 100mA | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 150µA @ 10V | |
정전 용량 @ Vr, F | 55pF @ 0V, 1MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
공급 장치 패키지 | USC | |
작동 온도 - 접합 | 125°C(최대) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | CUS05S30,H3F(B CUS05S30,H3F(T CUS05S30H3FTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | CUS05S30,H3F | |
관련 링크 | CUS05S, CUS05S30,H3F Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
![]() | 170N3435 | FUSE 55A 660V 0000FU/65 GR | 170N3435.pdf | |
![]() | PZU4.3B1,115 | DIODE ZENER 4.3V 310MW SOD323F | PZU4.3B1,115.pdf | |
![]() | ASPI-0316S-4R7N-T3 | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 950mA 199 mOhm Max Nonstandard | ASPI-0316S-4R7N-T3.pdf | |
![]() | SRR1210A-391M | 390µH Shielded Inductor 1.3A 600 mOhm Max Nonstandard | SRR1210A-391M.pdf | |
![]() | 1330R-80G | 330µH Unshielded Inductor 45mA 28 Ohm Max 2-SMD | 1330R-80G.pdf | |
![]() | 103R-822H | 8.2µH Unshielded Inductor 195mA 2.5 Ohm Max 2-SMD | 103R-822H.pdf | |
![]() | 160R-183GS | 18µH Unshielded Inductor 175mA 4.2 Ohm Max 2-SMD | 160R-183GS.pdf | |
![]() | AC0603JR-0724RL | RES SMD 24 OHM 5% 1/10W 0603 | AC0603JR-0724RL.pdf | |
![]() | PAT0805E3401BST1 | RES SMD 3.4K OHM 0.1% 1/5W 0805 | PAT0805E3401BST1.pdf | |
![]() | TNPW121024K9BETA | RES SMD 24.9K OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW121024K9BETA.pdf | |
![]() | SMW539RJT | RES SMD 39 OHM 5% 5W 5329 | SMW539RJT.pdf | |
![]() | 752105281AP | RES NTWRK 16 RES MULT OHM 10SRT | 752105281AP.pdf |