Comchip Technology CZRT5245B-G
- 제조업체 부품 번호
- CZRT5245B-G
- 제조업 자
- Comchip Technology
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 15V 300MW SOT23
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
CZRT5245B-G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 58.82300
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of CZRT5245B-G, we specialize in all series Comchip Technology electronic components. CZRT5245B-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CZRT5245B-G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- CZRT5245B-G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
CZRT5245B-G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-CZRT5245B-G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | CZRT5222B~5256B-G Series | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Declaration SOT-23 Series Material Declaration | |
| PCN 포장 | Label D/C Chg24/Mar/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Comchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 15V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 16옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 11V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | CZRT5245B-G | |
| 관련 링크 | CZRT5, CZRT5245B-G Datasheet, Comchip Technology Distributor | |
CZRT5245B-G 의 관련 제품
 | ESMM421VSN391MA35S | 390µF 420V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 850 mOhm 3000 Hrs @ 85°C | ESMM421VSN391MA35S.pdf | |
 | QVS107CG3R9CCHT | 3.9pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | QVS107CG3R9CCHT.pdf | |
 | VJ0402D0R6BLXAP | 0.60pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D0R6BLXAP.pdf | |
 | 7B-8.000MAAE-T | 8MHz ±30ppm 수정 12pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7B-8.000MAAE-T.pdf | |
 | IRF7811AVTRPBF | MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC | IRF7811AVTRPBF.pdf | |
 | P1812R-104J | 100µH Unshielded Inductor 180mA 4.32 Ohm Max Nonstandard | P1812R-104J.pdf | |
 | K847PH | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 4 Channel 16-DIP | K847PH.pdf | |
| EL814S(TU)-V | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-SMD | EL814S(TU)-V.pdf | |
.jpg) | RT0402BRD071K82L | RES SMD 1.82KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RT0402BRD071K82L.pdf | |
 | RN73C1J23K2BTG | RES SMD 23.2KOHM 0.1% 1/16W 0603 | RN73C1J23K2BTG.pdf | |
| OS-RX-5X3 | SLIT MASK 5X3MM FOR RX SERIES | OS-RX-5X3.pdf | |
| P51-300-S-L-P-20MA-000-000 | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Sealed Gauge Female - M10 x 1.25 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-300-S-L-P-20MA-000-000.pdf |
