홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 » DDC123JU-7-F

Diodes Incorporated DDC123JU-7-F

DDC123JU-7-F
제조업체 부품 번호
DDC123JU-7-F
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
Datesheet 다운로드
다운로드
DDC123JU-7-F 가격 및 조달

가능 수량

7150 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 56.93276
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of DDC123JU-7-F, we specialize in all series Diodes Incorporated electronic components. DDC123JU-7-F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DDC123JU-7-F, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
DDC123JU-7-F 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DDC123JU-7-F 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DDC123JU-7-F
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서DDCzzzzU
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
PCN 설계/사양Green Encapsulate Change 09/July/2007
Copper bond wire 23/Feb/2016
PCN 조립/원산지Revision 23/Feb/2016
카탈로그 페이지 1573 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형2 NPN - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)2.2k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)47k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션250MHz
전력 - 최대200mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 장치 패키지SOT-363
표준 포장 3,000
다른 이름DDC123JU-FDITR
DDC123JU7F
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)DDC123JU-7-F
관련 링크DDC123, DDC123JU-7-F Datasheet, Diodes Incorporated Distributor
DDC123JU-7-F 의 관련 제품
0.10µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) CL10B104KB8SFNC.pdf
12pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) 06033A120KAT2A.pdf
0.22µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.236" W (26.00mm x 6.00mm) BFC233629052.pdf
TVS DIODE 40VWM 64.5VC SMF SMF40A-E3-08.pdf
30.72MHz ±10ppm 수정 10pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 402F30712IAT.pdf
16.368MHz Clipped Sine Wave VCTCXO Oscillator Surface Mount 2.8V 2mA 520T10DA16M3680.pdf
OSC XO 3.3V 148.351648MHZ OE SIT3809AI-D2-33EB-148.351648T.pdf
33µH Unshielded Wirewound Inductor 160mA 4 Ohm Max 1812 (4532 Metric) IMC1812ER330J.pdf
RES SMD 5.6K OHM 5% 1/10W 0603 MCR03EZPJ562.pdf
RES SMD 51.1 OHM 1% 1/4W 1206 AA1206FR-0751R1L.pdf
RES SMD 198 OHM 0.1% 1/5W 0805 PAT0805E1980BST1.pdf
RES SMD 1.96K OHM 1% 1/5W 0402 CRCW04021K96FKEDHP.pdf