창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DDTB113ZC-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | DDTB (zzzz) C | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 500mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 1k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
주파수 - 트랜지션 | 200MHz | |
전력 - 최대 | 200mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DDTB113ZC-7-F-ND DDTB113ZC7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | DDTB113ZC-7-F | |
관련 링크 | DDTB11, DDTB113ZC-7-F Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
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![]() | RG3216P-3833-D-T5 | RES SMD 383K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216P-3833-D-T5.pdf | |
![]() | B8J75RE | RES 75 OHM 8W 5% AXIAL | B8J75RE.pdf | |
![]() | DLVR-L10D-E1NS-C-NI3F | Pressure Sensor ±0.36 PSI (±2.49 kPa) Differential Male - 0.08" (2.03mm) Tube, Dual 14 b 4-SIP Module | DLVR-L10D-E1NS-C-NI3F.pdf |