창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DF201-G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | DF2005~210-G | |
PCN 설계/사양 | Lead Frame 07/Mar/2016 Mult Dev DataSheet Update 28/Jul/2016 | |
PCN 포장 | Label D/C Chg24/Mar/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 브리지 정류기 | |
제조업체 | Comchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 단상 | |
전압 - 피크 역(최대) | 100V | |
전류 - DC 순방향(If) | 2A | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 4-EDIP(0.321", 8.15mm) | |
공급 장치 패키지 | 4-DF | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | DF201-G | |
관련 링크 | DF2, DF201-G Datasheet, Comchip Technology Distributor |
![]() | ABS07-LR-32.768KHZ-6-1-T | 32.768kHz ±10ppm 수정 6pF 50k옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연 | ABS07-LR-32.768KHZ-6-1-T.pdf | |
![]() | VS-8EWS12S-M3 | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252AA | VS-8EWS12S-M3.pdf | |
![]() | NVMFS6B14NLT1G | MOSFET N-CH 100V 11A DFN5 | NVMFS6B14NLT1G.pdf | |
NR6012T330ME | 33µH Shielded Wirewound Inductor 530mA 840 mOhm Max Nonstandard | NR6012T330ME.pdf | ||
![]() | HCPL-5761#100 | Optoisolator Darlington Output 1500VDC 1 Channel 8-SMD Butt Joint | HCPL-5761#100.pdf | |
![]() | ERJ-8ENF1874V | RES SMD 1.87M OHM 1% 1/4W 1206 | ERJ-8ENF1874V.pdf | |
![]() | RR0306P-912-D | RES SMD 9.1K OHM 0.5% 1/20W 0201 | RR0306P-912-D.pdf | |
![]() | CRGH2512F549R | RES SMD 549 OHM 1% 2W 2512 | CRGH2512F549R.pdf | |
![]() | RL1218JK-070R018L | RES SMD 0.018 OHM 1W 1812 WIDE | RL1218JK-070R018L.pdf | |
![]() | 4310H-102-105 | RES ARRAY 5 RES 1M OHM 10SIP | 4310H-102-105.pdf | |
![]() | CP00022K000KE66 | RES 2K OHM 2W 10% AXIAL | CP00022K000KE66.pdf | |
FD-L21W | CONVERGENT REFLCT R1 BEND RADIUS | FD-L21W.pdf |