Toshiba Semiconductor and Storage DF2B12M1CT(TPL3)

DF2B12M1CT(TPL3)
제조업체 부품 번호
DF2B12M1CT(TPL3)
제조업 자
제품 카테고리
TVS - 다이오드
간단한 설명
TVS DIODE 8VWM 18VC CST2
Datesheet 다운로드
다운로드
DF2B12M1CT(TPL3) 가격 및 조달

가능 수량

11150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 97.66790
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of DF2B12M1CT(TPL3), we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. DF2B12M1CT(TPL3) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DF2B12M1CT(TPL3), Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
DF2B12M1CT(TPL3) 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DF2B12M1CT(TPL3) 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DF2B12M1CT(TPL3)
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서DF2B12M1CT
종류회로 보호
제품군TVS - 다이오드
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
유형스티어링(레일 투 레일)
단방향 채널-
양방향 채널1
전압 - 역스탠드오프(통상)8V(최대)
전압 - 항복(최소)10V
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp18V(일반)
전류 - 피크 펄스(10/1000µs)1A(8/20µs)
전력 - 피크 펄스-
전력선 보호없음
응용 제품범용
정전 용량 @ 주파수0.3pF @ 1MHz
작동 온도-
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOD-882
공급 장치 패키지CST2
표준 포장 10,000
다른 이름DF2B12M1CT (TPL3)
DF2B12M1CT(TPL3)TR
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)DF2B12M1CT(TPL3)
관련 링크DF2B12M1, DF2B12M1CT(TPL3) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
DF2B12M1CT(TPL3) 의 관련 제품
820µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 202 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 105°C ECO-S2AA821CA.pdf
2200µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C B41043A3228M.pdf
1.6pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) GQM1875C2E1R6BB12D.pdf
3.3µF 6.3V 세라믹 커패시터 JB 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) C1005JB0J335K050BC.pdf
0.33µF Film Capacitor 360V 850V Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.846" Dia x 1.339" L (21.50mm x 34.00mm) 942C8P33K-F.pdf
2.7µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 1.024" L x 0.335" W (26.00mm x 8.50mm) BFC237322275.pdf
36MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F36013IKT.pdf
DIODE ZENER 68V 5W T18 1N5373A/TR12.pdf
DIODE ZENER 87V 5W T18 1N5376E3/TR12.pdf
4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 3A 38 mOhm Max Nonstandard SRN6028-4R7M.pdf
RES SMD 715K OHM 1% 1/5W 0603 CRGH0603F715K.pdf
Pressure Sensor 2000 PSI (13789.51 kPa) Sealed Gauge Male - 7/16" (11.11mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder P51-2000-S-AD-M12-5V-000-000.pdf