창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DF2B6.8ACT,L3F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | DF2B6.8ACT | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | - | |
양방향 채널 | 1 | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 5V(최대) | |
전압 - 항복(최소) | 5.8V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 7V(일반) | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 1A(8/20µs) | |
전력 - 피크 펄스 | - | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | 9pF @ 1MHz | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-882 | |
공급 장치 패키지 | CST2 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | DF2B6.8ACT,L3F(B DF2B6.8ACT,L3F(T DF2B6.8ACTL3FTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | DF2B6.8ACT,L3F | |
관련 링크 | DF2B6.8, DF2B6.8ACT,L3F Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
![]() | SR201A102JAR | 1000pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR201A102JAR.pdf | |
![]() | EMK042B7471MC-W | 470pF 16V 세라믹 커패시터 X7R 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | EMK042B7471MC-W.pdf | |
![]() | VJ0603D1R2BXBAC | 1.2pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R2BXBAC.pdf | |
![]() | BLF8G22LS-240U | FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B | BLF8G22LS-240U.pdf | |
![]() | SQBW30330RJFASTON | RES CHAS MNT 330 OHM 5% 30W | SQBW30330RJFASTON.pdf | |
![]() | CPF0402B3K09E1 | RES SMD 3.09KOHM 0.1% 1/16W 0402 | CPF0402B3K09E1.pdf | |
![]() | RCWE060310L0JGEA | RES SMD 0.01 OHM 5% 1/5W 0603 | RCWE060310L0JGEA.pdf | |
![]() | ERA-2APB1241X | RES SMD 1.24KOHM 0.1% 1/16W 0402 | ERA-2APB1241X.pdf | |
![]() | AF0402JR-070RL | RES SMD 0.0OHM JUMPER 1/16W 0402 | AF0402JR-070RL.pdf | |
![]() | RCP1206B330RJEB | RES SMD 330 OHM 5% 11W 1206 | RCP1206B330RJEB.pdf | |
![]() | RCP1206W20R0JET | RES SMD 20 OHM 5% 11W 1206 | RCP1206W20R0JET.pdf | |
![]() | YC164-JR-07240KL | RES ARRAY 4 RES 240K OHM 1206 | YC164-JR-07240KL.pdf |