창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DF2B6.8ACT,L3F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | DF2B6.8ACT | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | - | |
양방향 채널 | 1 | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 5V(최대) | |
전압 - 항복(최소) | 5.8V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 7V(일반) | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 1A(8/20µs) | |
전력 - 피크 펄스 | - | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | 9pF @ 1MHz | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-882 | |
공급 장치 패키지 | CST2 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | DF2B6.8ACT,L3F(B DF2B6.8ACT,L3F(T DF2B6.8ACTL3FTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | DF2B6.8ACT,L3F | |
관련 링크 | DF2B6.8, DF2B6.8ACT,L3F Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
![]() | DPG30C300PC | DIODE ARRAY GP 300V 15A TO263 | DPG30C300PC.pdf | |
![]() | C52DX500 | THYRISTOR STUD 70A 400V TO-83 | C52DX500.pdf | |
![]() | IRFIZ48GPBF | MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP | IRFIZ48GPBF.pdf | |
![]() | LHL10TB471K | 470µH Unshielded Inductor 570mA 840 mOhm Max Radial | LHL10TB471K.pdf | |
![]() | S4924R-123J | 12µH Shielded Inductor 440mA 2 Ohm Max Nonstandard | S4924R-123J.pdf | |
![]() | KTR03EZPF1501 | RES SMD 1.5K OHM 1% 1/10W 0603 | KTR03EZPF1501.pdf | |
![]() | CRCW25126M20JNEG | RES SMD 6.2M OHM 5% 1W 2512 | CRCW25126M20JNEG.pdf | |
![]() | RT0603CRD07590RL | RES SMD 590 OHM 0.25% 1/10W 0603 | RT0603CRD07590RL.pdf | |
![]() | RT1206BRE0716R9L | RES SMD 16.9 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRE0716R9L.pdf | |
![]() | TNPW0402121RBETD | RES SMD 121 OHM 0.1% 1/16W 0402 | TNPW0402121RBETD.pdf | |
![]() | CRCW08052R20FNEA | RES SMD 2.2 OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08052R20FNEA.pdf | |
![]() | CMF701M5000FKEB | RES 1.5M OHM 1.75W 1% AXIAL | CMF701M5000FKEB.pdf |