창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DF2B6.8FS(TPL4,D) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | DF2B6.8FS | |
제품 교육 모듈 | ESD Protection | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 스티어링(레일 투 레일) | |
단방향 채널 | - | |
양방향 채널 | 1 | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 5V(최대) | |
전압 - 항복(최소) | 5.8V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 8.5V(일반) | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 1A(8/20µs) | |
전력 - 피크 펄스 | - | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | 15pF @ 1MHz | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | fSC | |
표준 포장 | 8,000 | |
다른 이름 | DF2B6.8FS(TPL4D)TR DF2B68FSTPL4D | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | DF2B6.8FS(TPL4,D) | |
관련 링크 | DF2B6.8F, DF2B6.8FS(TPL4,D) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
EMVH101ARA470MKE0S | 47µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 330 mOhm 5000 Hrs @ 125°C | EMVH101ARA470MKE0S.pdf | ||
0LGR012.H | FUSE CRTRDGE 12A 300VAC NON STD | 0LGR012.H.pdf | ||
IDW40E65D1FKSA1 | DIODE GEN PURP 650V 80A TO247-3 | IDW40E65D1FKSA1.pdf | ||
GL41B-E3/97 | DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB | GL41B-E3/97.pdf | ||
MBR4080PTE3/TU | DIODE SCHOTTKY 40A 80V TO-247AD | MBR4080PTE3/TU.pdf | ||
R6001625XXYA | DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205 | R6001625XXYA.pdf | ||
VS-10TTS08STRR-M3 | SCR 800V 10A | VS-10TTS08STRR-M3.pdf | ||
DR2260A30VR | Solid State Contactor SPST-NO (1 Form A) SSR with Integrated Heat Sink | DR2260A30VR.pdf | ||
HSC3002R4J | RES CHAS MNT 2.4 OHM 5% 300W | HSC3002R4J.pdf | ||
CRCW060326R1FKTB | RES SMD 26.1 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW060326R1FKTB.pdf | ||
H4158KBYA | RES 158K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H4158KBYA.pdf | ||
P51-300-A-S-D-5V-000-000 | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Absolute Female - 1/4" (6.35mm) NPT 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-300-A-S-D-5V-000-000.pdf |