창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DF2S16CT,L3F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | DF2S16CT | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | 1 | |
양방향 채널 | - | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 12V | |
전압 - 항복(최소) | 15.3V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | - | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | - | |
전력 - 피크 펄스 | - | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | 10pF @ 1MHz | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-882 | |
공급 장치 패키지 | CST2 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | DF2S16CT,L3F(B DF2S16CT,L3F(T DF2S16CTL3FTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | DF2S16CT,L3F | |
관련 링크 | DF2S16, DF2S16CT,L3F Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
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![]() | VJ1812A221JXGAT00 | 220pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | VJ1812A221JXGAT00.pdf | |
![]() | C907U100DYNDBAWL35 | 10pF 400VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C907U100DYNDBAWL35.pdf | |
![]() | 1.5SMC51CAHE3/57T | TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC DO214AB | 1.5SMC51CAHE3/57T.pdf | |
![]() | 1.5KE15C | TVS DIODE 12.8VWM 22.26VC AXIAL | 1.5KE15C.pdf | |
ECS-250-18-20BQ-DS | 25MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ECS-250-18-20BQ-DS.pdf | ||
![]() | MBR4045PT-E3/45 | DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO3P | MBR4045PT-E3/45.pdf | |
![]() | 1N5923P/TR8 | DIODE ZENER 8.2V 1.5W DO204AL | 1N5923P/TR8.pdf | |
![]() | LTST-C250TBKT | Blue 470nm LED Indication - Discrete 3.3V 2-SMD, No Lead | LTST-C250TBKT.pdf | |
![]() | RT0805DRE074K32L | RES SMD 4.32K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRE074K32L.pdf | |
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