창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DF2S6.8UFS,L3F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | DF2S6.8UFS | |
제품 교육 모듈 | ESD Protection | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | 1 | |
양방향 채널 | - | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 19V(최대) | |
전압 - 항복(최소) | 22V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | - | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | - | |
전력 - 피크 펄스 | - | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | 1.6pF @ 1MHz | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | fSC | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | DF2S6.8UFSL3FCT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | DF2S6.8UFS,L3F | |
관련 링크 | DF2S6.8, DF2S6.8UFS,L3F Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
![]() | 08051A330KAT2A | 33pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08051A330KAT2A.pdf | |
![]() | SMA6J5.0A-E3/5A | TVS DIODE 5VWM 13.4VC SMA | SMA6J5.0A-E3/5A.pdf | |
![]() | ATV50C171JB-HF | TVS DIODE 170VWM 275VC DO214AB | ATV50C171JB-HF.pdf | |
![]() | VS-4ESH01HM3/86A | DIODE 100V 4A TO277A | VS-4ESH01HM3/86A.pdf | |
![]() | HF1008R-330M | 33nH Unshielded Inductor 900mA 150 mOhm Max Nonstandard | HF1008R-330M.pdf | |
![]() | RR0510P-1182-D | RES SMD 11.8KOHM 0.5% 1/16W 0402 | RR0510P-1182-D.pdf | |
![]() | AT1206CRD07590KL | RES SMD 590K OHM 0.25% 1/4W 1206 | AT1206CRD07590KL.pdf | |
![]() | CRCW08059M09FKEB | RES SMD 9.09M OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08059M09FKEB.pdf | |
![]() | FRM3WSJR-73-91R | RES 91 OHM 3W 5% AXIAL | FRM3WSJR-73-91R.pdf | |
![]() | RC12JT2M40 | RES 2.4M OHM 1/2W 5% AXIAL | RC12JT2M40.pdf | |
![]() | A1212LLHLT-T | IC LATCH HALL EFFECT SOT23W | A1212LLHLT-T.pdf | |
![]() | 100 PSI-A-DO | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Absolute Male - 0.19" (4.8mm) Tube 12 b 6-SIP Module | 100 PSI-A-DO.pdf |